BGAUDIO.ORG Audio Portal

Има ли начин да се изчисли/измери вътрeшното съпротивление на емитера на транзистор (Re)?

Специално ме интересува какво Re имат следните транзистори - 2SD882, 2SD1691, 2N5192

10х предварително

Велине, вероятно питаш за обемното съпротивление на емитера Ree`. Не се среща в каталозите и по-скоро се изчислява приблизително. За този специално параметър, мисля че трябва да се направи запитване до производителя.
Ако става въпрос за изходното съпротивление на схема ОК (и входното на ОБ) то е 26 ома разделен на колекторния ток (ма) плюс генераторното съпротивление разделено на бетата. Последователно на това динамично съпротивление е включено и обемното на базата и емитера.

Жоро, нямам идея дали говорим за едно и също. Всъщност не знам как е българският термин на intrinsic/effective emitter resistance. Вътрешно (ефективно) съпротивление на емитера?

Поне в английските книги го бележат като Re или re и отсъства като стойност в каталозите.

Намерих информация за 2N4403, например - Re = 0,25 ома

Тази стойност измерва ли се, изчислява ли се или трябва да пусна запитване до производителя? Интересува ме Re конкретно на 2SD882

http://lee.tagus.ist.utl.pt/SUBA/Suba_files/2sd882.pdf

Вероятно става въпрос за обемно съпротивление на емитера. Интересно е за мощни транзистори, където е съизмеримо с динамичното при големи токове.
2N4403 е маломощен. Не знам къде си видял такова съпротивление. Аз в няколко фирми не го виждам.
Трябва само да питаш във фирмата по твоя въпрос.
В миналото даваха за високочестотните транзистори една времеконстанта - произведението от обемното съпротивление на базата и капацитета колектор - база.
Други обемни съпротивления в каталози не съм срещал.
Възможно е да има такива параметри в моделите на транзисторите в програмите за симулация.

Благодаря ти, Жоро!

Ще пусна запитване до NEC, дано отговорят.

По D.Self:

... For a single device, the value of re can be approximated by:
re = 25/Ic ohms (for Ic in mA)

Според мен това е активното съпротивление на прехода и е статичен параметър.Обикновено много малко.
начин за определяне (по актуален за по мощни транзистори?!?!?) по моему: (в момента правя експеримент с 2сд1138 той ми е под ръка)
преходът база емитер е диод в права посока но в отпушено състояние той създава и активни загуби което значи че има активно съпротивление.
при отпушен преход с минимален ток падът на напрежение е в моя случай 0,583 В.
Вдигам тока и продължавам да меря напрежението база емитер.(предварително съм прочел дейташиита и знам че максималното напрежение база емитер за моя случай е 1В).
Аз не посмях да го изпържа на 1В но стигнах до 0,8 В.В този случай тока е 0,092А.
От тук е просто разликата на напреженията делта U е 0,217В.
Разликата в тока делта I е приблизително 0,09А (вижда се че колкото е по голям тока до който достигаме грешката е по малка тъй като спокойно можем да пренебрегнем 1-я милиампер за определяне на напрежението на празен ход на прехода).
после U/I= 2,4 ома!
Мисля че за това говорим! (може и да бъркам не знам в твоя случай какво се има пред вид но...)

колкото е по маломощен транзистора толкова е по високо активното съпротивление на прехода база емитер!

Точно за това говорим

Въпросът е дали е константен параметър за цяла моделна линия транзистори или е уникален за всяка отделна бройка и трябва да се подбира.

Не ми остава друго, освен да измеря някой 2SD882...

GaPe написа:По D.Self:

... For a single device, the value of re can be approximated by:
re = 25/Ic ohms (for Ic in mA)

A стойността "25" откъде се получава и с какво е свързана? Формулата е твърде статична, а данните би трябвало да са усреднени.

Велине мисля че това 25 е за конкретен транзистор и касае нещо друго.
Не забравяй обаче че същото което ти казах може да направиш и за прехода колектор емитер(може да има разлика не знам кое ти е по нужно от двете).Там се подхожда по следния начин:
Генератор на ток примерно 1 милиампер подаден на колектор емитер.
Започваш да отпушваш транзистора и мериш напрежение колектор емитер.Когато напрежението престане да пада спираш да вдигаш базовия ток(стигнал си до Ucesat)!
вдигаш колекторния ток на номинал и мериш пак напрежение колектор емитер(то се е вдигнало заради активните загуби на прехода!).От там разликата на напреженията делиш на разликата на токовете и получаваш съпротивлението!

Благодаря - утре ще го премеря

Динамичното съпротивление, за което мисля че не става въпрос, се изчислява:
Re = Ut / Ic
Където: Ut е топлинния потенциал
Ut = K.T/q
K = 1.38.10^(-23) - константа на Болцман
Т - абсолютана температура 296 при (23 гр. целзий)
q = 1.602 . 10^(-19) - заряд на елекрона
Ut = 1,38.10^(-23).296/(1,602.10^(-19)) = 0,0255 V
за 1 mA: Re = 0,0255/0,001 = 25,5 ohm
за 100 mA : Re = 0,255 ohm.
Но това е динамичното съпротивление. Обемното съпротивление на емитера, което също е нелинейно, трудно може да се изчисли и трябва да се прибави към динамичното, с което се получава пълното съпротивление на прехода.
Не прави опити да го измерваш по препоръчаните по-горе начини, защото за прехода база - емитер, участва и обемното съпротивление на базата.
Всъщност повтарям, но по-подробно, първият си пост.
Формулата, макар и приблизителна, важи за преходите на всички Si биполярни транзистори и се получава от статичния безинерционен модел на Еберс и Моол.

Ето какво казва самият Селф:



Явно използва тази константа за всякакви транзистори
[/url]

Ако разгледаш формулата от предния ми пост ще забележиш, че не може да пускаш голям ток през прехода, защото ще го загрееш, а това ще променя Т в процеса на измерване. На всеки градус, Uak се променя с 2 mV. Достатъчно е с 10 градуса да загрееш прехода и всичко ще е грешно. Измерва се в импулсен режим с малък коефициент на запълване. Има специални методики.

Да, Re е силно температурно зависимо

velinski написа:Да, Re е силно температурно зависимо

Това е несъмнено.
Освен това е нелинейно.

едит:Велине сега се загледах в дейташиита на твоя транзистор!!!
Погледни диаграмата най долу вляво(Vcesat/Ic ).
Там има всичко което ти трябва и то точно импулсно измерено както се спомена по горе!
По моя сметка съпротивлението на твоя транзистор е приблизително 0,13 ома взето за по линейната част над 10 милиампера колекторен ток и за 25 градуса константна температура на прехода.
при други транзистори има семейство характеристики за това нещо и може да прецениш как ще се измени Rе с изменение на температурата.
Успех!