Вътрешно съпротивление на емитер

[Goro]

Справка - книгата "Полупроводниковая схемотехника" http://dmitriks.narod.ru/books/books.html#TITSH
Тази книга, всеки който се занимава с транзистори, трябва да му е под възглавницата.

[velinski]

Fankiller, обясни ми моля те как да дешифрирам графиките за Vcesat? Как получи 0,13 ома @ >10mA за Re? U/I delta?

Жоро мерси за полезните четива

Транзисторите са ми доста тъмна дупка, а там има какво да се прочете.

[GaPe]

A стойността "25" откъде се получава и с какво е свързана? Формулата е твърде статична, а данните би трябвало да са усреднени.

Вероятно /предполагам/ : ..."thermal voltage" of about 26mV at 25 degC
Може би и затова токът във формулата е даден в mA.

[Bojo]

Справка - книгата "Полупроводниковая схемотехника" http://dmitriks.narod.ru/books/books.html#TITSH
Тази книга, всеки който се занимава с транзистори, трябва да му е под възглавницата.

Жоро, тя беше първата която разпечатах, когато ми даде линка към библиотеката.

[Goro]

Велине Vce sat е нещо съвсем друго. Напрежение на насищане колектор - емитер. Няма нищо общо с това което те интересува.

[Goro]

Божидаре, радвам се че съм бил полезен.

[Goro]

Не знам какво е писал Селф, но нелинейните изкривявания за един биполярен транзистор могат приблизително да се определят като % на миливолт (виж линка). Т.е. ако напрежението база - емитер е 1 мв, то Кx = 1%, ако е 5 mV, то Kx = 5%. Тези изкривявания могат да се намалят като се подбере оптимално генераторно съпротивление и оптимално напрежение колектор - емитер (ефект на Ерли) - за схема ОЕ. Това напрежение е 5 - 10 V, и двете мерки могат да подобрят Kx>20 dB като има ясно изразен минимум.

[Fenkiller]

Fankiller, обясни ми моля те как да дешифрирам графиките за Vcesat? Как получи 0,13 ома @ >10mA за Re? U/I delta?

Правилно си разбрал!
Да вметна наистина само по себе си Uce(sat) няма отношение към Re.
Но нарастването му спрямо нарастването на колекторния ток е критерий за активното съпротивление на прехода колектор емитер.Падът на напрежение създаден върху Re от колекторния ток се добавя към началното Uce и го изменя.Съпротивлението на прехода зависи силно от температурата респективно от колекторния ток който поражда загряване на прехода.Колекторният ток разсейва активна мощност във вид на топлина върху Re.
затова го смятам като разлика от токове и напрежения за да се получи усреднена стойност.Подобна стойност може да получиш за коя да е точка взета по отделно от характеристиката.
Хубавото в диаграмата е че е измерена импулсно и при стойност на базовия ток 1/10 от колекторния което гарантира силно наситен (отпушен) транзистор.
Умишлено пренебрегвам силно нелинейната част на характеристиката в началото тъй като там влияят и други параметри.Но ако се загледаш в стойностите ще видиш че дори и да я вземеш пред вид разлика почти няма да има!